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Das primäre Ziel dieses Artikels konzentriert sich auf die Entwicklung von MEMS-Hochleistungsschaltern und die Konstruktion eines miniaturisierten 5-Bit-Phasenschiebers. Eines der einzigartigen Merkmale des vorgeschlagenen Schalters ist eine dreieckige Form mit verbesserten Eigenschaften wie niedriger Betätigungsspannung, hoher Isolation, niedriger Einfügedämpfung, niedrigem Stressfaktor und guter Rückflussdämpfung. Der MEMS-Schalter ist in einer Serienkonfiguration mit koplanarer Wellenleiter (CPW) Implementierung entworfen. Das Design des neuartigen dreieckigen Schalters besteht aus den…mehr

Produktbeschreibung
Das primäre Ziel dieses Artikels konzentriert sich auf die Entwicklung von MEMS-Hochleistungsschaltern und die Konstruktion eines miniaturisierten 5-Bit-Phasenschiebers. Eines der einzigartigen Merkmale des vorgeschlagenen Schalters ist eine dreieckige Form mit verbesserten Eigenschaften wie niedriger Betätigungsspannung, hoher Isolation, niedriger Einfügedämpfung, niedrigem Stressfaktor und guter Rückflussdämpfung. Der MEMS-Schalter ist in einer Serienkonfiguration mit koplanarer Wellenleiter (CPW) Implementierung entworfen. Das Design des neuartigen dreieckigen Schalters besteht aus den schrittweisen Eigenschaften des rechteckigen, dreieckigen und des vorgeschlagenen dreieckigen Niederspannungsschalters für HF, Mechanik und die Phasenverschiebungen werden untersucht und verglichen.
Das primäre Ziel dieses Artikels konzentriert sich auf die Entwicklung von MEMS-Hochleistungsschaltern und die Konstruktion eines miniaturisierten 5-Bit-Phasenschiebers. Eines der einzigartigen Merkmale des vorgeschlagenen Schalters ist eine dreieckige Form mit verbesserten Eigenschaften wie niedriger Betätigungsspannung, hoher Isolation, niedriger Einfügedämpfung, niedrigem Stressfaktor und guter Rückflussdämpfung. Der MEMS-Schalter ist in einer Serienkonfiguration mit koplanarer Wellenleiter (CPW) Implementierung entworfen. Das Design des neuartigen dreieckigen Schalters besteht aus den schrittweisen Eigenschaften des rechteckigen, dreieckigen und des vorgeschlagenen dreieckigen Niederspannungsschalters für HF, Mechanik und die Phasenverschiebungen werden untersucht und verglichen.
Autorenporträt
A Dra. Anitha G, que trabalha no Departamento de ISE do BIET, Davangere, publicou 10 artigos de investigação em revistas especializadas e os seus interesses de investigação incluem PNL, IAO Dr. Sunilkumar G tem mais de 15 anos de experiência de ensino e investigação, trabalha atualmente no Departamento de CSE, UVCE, Bengaluru, publicou mais de 35 artigos de investigação em revistas e conferências internacionais.