Design und Analyse von Klasse-E-Leistungsverstärker ein 4GHz-Band für mobile Anwendungen eingeführt wird. Diese Arbeit entwarf Klasse-E-Leistungsverstärker mit Lastnetzwerk und einem einzelnen Transistor ohne übermäßige Reaktanz bei höheren Frequenzen, um die Probleme zu lösen, wie z. B: Verlustleistung im aktiven Bauelement, Variation der Versorgungsspannung und Induktivitätsbeschränkung durch Schmalbandverstärkerdesign. Das Modell des Klasse-E-Leistungsverstärkers wird in dieser Forschungsarbeit entworfen und vorgestellt. Es hat sich durch Verifikation im Multisim-Schaltungssimulator als erfolgreich erwiesen. Die Ableitung eines Ausdrucks zur Erzielung der korrekten optimalen Schaltbedingung wurde durchgeführt, um die Richtigkeit dieser Theorie zu beweisen. Die Berechnung 100%, die Simulation 98,42% und der experimentelle Entwurf von 90,34% eines Klasse-E-Leistungsverstärkers mit Lastnetzwerk und einem einzelnen Transistor wurden durchgeführt, der Gesamtwirkungsgrad wurde erreicht, gespeist mit 1,8V Gleichstrom. Der Verstärker wurde bei einer Bandfrequenz von 4 GHz und 50 % Tastverhältnis für ein stabiles Sinussignal betrieben. Daraus kann geschlossen werden, dass der optimale Betrieb nur bei einem optimalen Lastwiderstand,R2= R1, erreicht werden kann. bei R2 = R1 wird die sinusförmige Ausgangsspannung nahezu das Maximum erreichen.
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