Erstellung von Fotomasken durch lasermaskenlose Lithographie - Shnyagina, Elena Anatolyevna
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Der Hauptplatz in der modernen Technologie zur Herstellung mikroelektronischer Produkte ist die Fotolithografie. Der technologische Prozess der Fotolithografie besteht aus mehreren grundlegenden Vorgängen: Vorbereiten der Oberfläche eines Halbleiterwafers, Aufbringen einer Fotolackschicht auf die Oberfläche des Wafers, Trocknen des Fotolacks, Belichten, Entwickeln und Härten des Fotolacks, Steuern der geometrischen Abmessungen des Bildes , Ätzen des Films, Waschen des Wafers nach dem Ätzen, Entfernen des Photoresistfilms von der Oberfläche, Kontrolle der verarbeiteten Platten. Ziel der Arbeit…mehr

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Produktbeschreibung
Der Hauptplatz in der modernen Technologie zur Herstellung mikroelektronischer Produkte ist die Fotolithografie. Der technologische Prozess der Fotolithografie besteht aus mehreren grundlegenden Vorgängen: Vorbereiten der Oberfläche eines Halbleiterwafers, Aufbringen einer Fotolackschicht auf die Oberfläche des Wafers, Trocknen des Fotolacks, Belichten, Entwickeln und Härten des Fotolacks, Steuern der geometrischen Abmessungen des Bildes , Ätzen des Films, Waschen des Wafers nach dem Ätzen, Entfernen des Photoresistfilms von der Oberfläche, Kontrolle der verarbeiteten Platten. Ziel der Arbeit war es, Fotomasken mit den für dieses Gerät möglichen Mindestparametern zu erhalten. Hierzu wurde der Einfluss der Belichtungszeit und der Entwicklungszeit auf die Parameter von Fotomasken (die Art des Musters) untersucht, die mit der Methode der maskenlosen Laserlithographie auf die Belichtungsanlage "Heidelberg µPG501" erhalten wurden. Als Ergebnis der Arbeit wurden Fotomasken mit geometrischen Parametern von 2 & mgr; m hergestellt, während für diese Charge die optimale Belichtungszeit 35 ms und die Entwicklungszeit 60 s betrug.
Autorenporträt
Elena Anatolyevna Shnyagina - estudiante (maestría) de la Universidad Nacional de Investigación Tecnológica "MISiS", Instituto de Nuevos Materiales y Nanotecnologías.