Os semicondutores magnéticos diluídos dopados Transition Metal (TM) (DMS) podem utilizar o spin do electrão para além da sua carga para melhorar ainda mais as funcionalidades da microelectrónica e ter aplicações potenciais na spintrónica. A dopagem de iões magnéticos em semicondutores II-IV é mais eficaz que os sistemas de óxido metálico e modifica o seu fenómeno de transporte de electrões, influenciando assim os níveis de energia de conchas abertas tipo d ou f em relação ao nível Fermi e bordos de banda. Os autores escolheram DMSs baseados em Sulfureto de Cádmio (CdS) com dopante Cobat (Co) porque as interacções de troca de sp-d no semicondutor Co doped II-VI são muito maiores do que as dos homólogos Mn doped, além disso, o tamanho dos átomos de Co e Cd são compatíveis entre si, pelo que há uma perturbação insignificante na banda de condução. Assim, aumentam as propriedades físicas e químicas do material, devido à interacção carrier-spin, ao acoplamento de spin entre os iões hospedeiros e à hibridação dos iões metálicos de transição, bem como dos iões metálicos hospedeiros. No presente trabalho de estudo do modo fonão óptico e propriedades térmicas das nanopartículas de CdS com diferentes concentrações molares de Co dopant.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.