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El desarrollo de dispositivos microelectrónicos de mayor densidad es el impacto de las tensiones inducidas por los desajustes del coeficiente de expansión térmica (CET) de los materiales utilizados. En este artículo se analiza el uso de la modelización continua de granos en 3D para estudiar la migración de los límites de grano provocada por las diferencias en la densidad de energía de deformación. Se está utilizando Comsol Multiphysics 4.3a (CM) para calcular tensiones y densidades de energía de deformación en estructuras policristalinas causadas por cambios de temperatura. Tratamos cada grano como un único cristal, con las propiedades elásticas anisótropas del monocristal de Cu adecuadamente rotadas para que coincidan con la orientación del grano en el espacio.