Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETs FinFETs - D'Angelo Mathias, Rodrigo
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Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em lâminas de silício convencionais ou de Silício Sobre Isolante (SOI). No entanto, a escolha do melhor tipo de substrato é difícil devido a cada um apresentar vantagens diferentes em relação ao outro. Embora os dispositivos fabricados em substrato SOI apresentem algumas vantagens, como a excelente característica da inclinação de subliminar, valores de capacitâncias de fonte /…mehr

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Produktbeschreibung
Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em lâminas de silício convencionais ou de Silício Sobre Isolante (SOI). No entanto, a escolha do melhor tipo de substrato é difícil devido a cada um apresentar vantagens diferentes em relação ao outro. Embora os dispositivos fabricados em substrato SOI apresentem algumas vantagens, como a excelente característica da inclinação de subliminar, valores de capacitâncias de fonte / dreno relativamente inferiores, e a eliminação do efeito de latch-up; quando o foco são os efeitos de autoaquecimento (Self-Heating Effects, SHE), este tipo de substrato apresenta uma pior dissipação térmica. A tecnologia FinFET fabricada em lâmina de silício (Bulk FinFET) apresenta uma elevada taxa de transferência de calor, e baixo custo. A fim de combinar as vantagens de ambos os tipos de substratos, o dispositivo com Fonte / Dreno em Silício sobre Isolante (SDSOI) e com Fonte / Dreno em Silício sobre Isolante Modificado (MSDSOI) foram estudados, com influência dos efeitos do autoaquecimento.
Autorenporträt
Mestre em Engenharia Elétrica pelo Centro Universitário da FEI, atuando nos temas: simulação e modelagem de transistores Bulk / SOI FinFET. Graduado em Engenharia Elétrica com Ênfase em Eletrônica pela Universidade São Judas Tadeu. Técnico em Eletrônica pelo Colégio Lavoisier. Atuando como professor, engenheiro, monitor de alunos e pesquisador.