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O óxido de índio cristaliza na estrutura bixbyite. As nanoestruturas de óxido metálico são de interesse crescente tanto nas ciências fundamentais como nas ciências aplicadas e, entre elas, o In2O3 é um dos materiais semicondutores mais capazes. O impacto de sensores de gás altamente sensíveis e de resposta rápida usando nanoestruturas de In2O3 é também discutido e os seus parâmetros estruturais foram refinados empregando técnicas de Rietveld usando o software JANA 2006. As densidades electrónicas foram encontradas em diferentes direcções e a natureza da ligação entre os átomos foi analisada,…mehr

Produktbeschreibung
O óxido de índio cristaliza na estrutura bixbyite. As nanoestruturas de óxido metálico são de interesse crescente tanto nas ciências fundamentais como nas ciências aplicadas e, entre elas, o In2O3 é um dos materiais semicondutores mais capazes. O impacto de sensores de gás altamente sensíveis e de resposta rápida usando nanoestruturas de In2O3 é também discutido e os seus parâmetros estruturais foram refinados empregando técnicas de Rietveld usando o software JANA 2006. As densidades electrónicas foram encontradas em diferentes direcções e a natureza da ligação entre os átomos foi analisada, usando as ferramentas gráficas como PRIMA e VESTA as densidades electrónicas em uma, duas e três dimensões foram visualizadas.
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Autorenporträt
Dr. P. Rubalajyothi, Assistente Professore, Dipartimento di Fisica al Sri Saradha college for women, Bharathidasan University, Perambalur, Tiruchirappalli, Tamil Nadu. Ha 6 anni di ricerca e 2 anni di esperienza nell'insegnamento. Ha lavorato come Rajiv Gandhi National Fellowship-Dipartimento di Fisica, Nehru Memorial College, Puthanampatti, Trichy, Tamil.