Chen, H: Exploration of the Potential Defects in GaN HEMTs with Hyperspectrum Image Techniques
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
01.01.2009
Verlag
VDMSeitenzahl
148
Maße (L/B/H)
22/15/0,9 cm
Gewicht
213 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-639-11415-7
operations? Usually,destructive measurements are
required to analyze the defect and the carrier
trapping - which are the two biggest reliabilty
issues in GaN electronics.The novel noninvasive
optical characterization techniques provided by this
book can visualize the potential defect and the
trapping region inside an operating GaN HEMT. The
techniques show promise for screening the device
failure.
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