Fabbricazione di silicio nanoporoso - Mogoda, Awad
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Le caratteristiche dello strato di Si poroso formato dall'incisione chimica con argento del p-Si in soluzione acquosa di HF/HNO3 sono influenzate dalla concentrazione di ioni Ag nel bagno di placcatura, dalle concentrazioni del mordenzante (HF) e dell'agente ossidante (HNO3) e dal tempo di incisione del substrato di Si. I risultati del SEM hanno confermato che la deposizione di ioni d'argento da una soluzione di AgNO3 1,0 × 10-3 M su p-Si prima della mordenzatura chimica in HF/HNO3 ha prodotto una PSL uniforme rispetto alle altre concentrazioni di nitrato d'argento. I dati di impedenza hanno…mehr

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Produktbeschreibung
Le caratteristiche dello strato di Si poroso formato dall'incisione chimica con argento del p-Si in soluzione acquosa di HF/HNO3 sono influenzate dalla concentrazione di ioni Ag nel bagno di placcatura, dalle concentrazioni del mordenzante (HF) e dell'agente ossidante (HNO3) e dal tempo di incisione del substrato di Si. I risultati del SEM hanno confermato che la deposizione di ioni d'argento da una soluzione di AgNO3 1,0 × 10-3 M su p-Si prima della mordenzatura chimica in HF/HNO3 ha prodotto una PSL uniforme rispetto alle altre concentrazioni di nitrato d'argento. I dati di impedenza hanno rivelato che quando le concentrazioni di HF e acido nitrico aumentano, aumenta anche la dissoluzione del Si. La produzione di PSL con fori rotondi regolari e di piccolo diametro è stata più rapida con l'incisione chimica di p-Si modificata con Ag rispetto all'incisione tradizionale con macchie nella stessa soluzione mordenzante, che ha prodotto pori di larghezza considerevole. L'assenza di un picco d'argento nelle misurazioni EDX per il PSL risultante dalla mordenzatura chimica con resistenza all'Ag ha suggerito che l'Ag depositato si era completamente dissolto nella soluzione dopo la mordenzatura. I risultati di SEM e AFM hanno rivelato che il diametro dei nanopori e la rugosità della superficie aumentavano con l'aumentare della durata della mordenzatura.
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Autorenporträt
Awad Mogoda poluchil stepen' doktora filosofii po fizicheskoj himii w Kairskom uniwersitete w 1986 g. Professor Kairskogo uniwersiteta po fizicheskoj himii. V sferu ego interesow whodqt swerhprowodniki, poristyj kremnij, poluchenie tonkih anodnyh oxidnyh sloew, korroziq metallow i splawow.