Fabricación de silicio nanoporoso - Mogoda, Awad
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Las características de la capa porosa de Si formada por el grabado químico mejorado con plata de p-Si en solución acuosa de HF/HNO3 se ven influidas por la concentración de iones de Ag en el baño de recubrimiento, las concentraciones tanto del agente grabador (HF) como del agente oxidante (HNO3), y el tiempo de grabado del sustrato de Si. Los resultados del SEM confirmaron que la deposición de iones de plata a partir de una solución de AgNO3 1,0 × 10-3 M sobre p-Si antes del grabado químico en HF/HNO3 dio lugar a una PSL uniforme en comparación con las otras concentraciones de nitrato de…mehr

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Produktbeschreibung
Las características de la capa porosa de Si formada por el grabado químico mejorado con plata de p-Si en solución acuosa de HF/HNO3 se ven influidas por la concentración de iones de Ag en el baño de recubrimiento, las concentraciones tanto del agente grabador (HF) como del agente oxidante (HNO3), y el tiempo de grabado del sustrato de Si. Los resultados del SEM confirmaron que la deposición de iones de plata a partir de una solución de AgNO3 1,0 × 10-3 M sobre p-Si antes del grabado químico en HF/HNO3 dio lugar a una PSL uniforme en comparación con las otras concentraciones de nitrato de plata. Los datos de impedancia revelaron que cuando aumentan las concentraciones de HF y ácido nítrico, también lo hace la disolución de Si. La fabricación de PSL con agujeros redondos regulares y de pequeño diámetro fue más rápida con el grabado químico modificado con Ag de p-Si que con el grabado tradicional por tinción en la misma solución grabadora, que produjo poros de una anchura considerable. La ausencia de un pico de plata en las mediciones EDX de la PSL resultante del grabado químico con Ag sugirió que la Ag depositada se había disuelto completamente en la solución después del grabado. Los resultados de SEM y AFM revelaron que el diámetro de los nanoporos y la rugosidad de la superficie aumentaban a medida que se incrementaba la duración del grabado.
Autorenporträt
Awad Mogoda poluchil stepen' doktora filosofii po fizicheskoj himii w Kairskom uniwersitete w 1986 g. Professor Kairskogo uniwersiteta po fizicheskoj himii. V sferu ego interesow whodqt swerhprowodniki, poristyj kremnij, poluchenie tonkih anodnyh oxidnyh sloew, korroziq metallow i splawow.