Film dielettrici high-k di ossido di tantalio drogato con zirconio per dispositivi MOS
Progettazione CMOS
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
23,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
12 °P sammeln!
I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Per le future applicazioni dei MOSFET è stato studiato a fondo un nuovo materiale dielettrico di gate misto ad alta permettività, ossia l'ossido di tantalio drogato con zirconio (TaOx drogato con Zr) e l'ossido di tantalio drogato con afnio (TaOx drogato con Hf). La deposizione di un nuovo dielettrico di gate ad alto valore k mediante miscelazione di Ta2O5 con ZrO2 e HfO2 con la tecnica del co-sputtering, per raggiungere i requisiti di stabilità termo...
I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Per le future applicazioni dei MOSFET è stato studiato a fondo un nuovo materiale dielettrico di gate misto ad alta permettività, ossia l'ossido di tantalio drogato con zirconio (TaOx drogato con Zr) e l'ossido di tantalio drogato con afnio (TaOx drogato con Hf). La deposizione di un nuovo dielettrico di gate ad alto valore k mediante miscelazione di Ta2O5 con ZrO2 e HfO2 con la tecnica del co-sputtering, per raggiungere i requisiti di stabilità termodinamica, elevato intervallo di temperatura di transizione amorfo-cristallina, ampio band gap elettrico e ampia barriera a banda di energia con il Si per l'era ULSI. Sono stati condotti studi approfonditi sul processo di fabbricazione e sulle caratteristiche dei dispositivi. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi dei materiali dielettrici misti ad alto coefficiente k per i dispositivi ad alta frequenza.
Andere Kunden interessierten sich für
