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Razwitie rewolücionnoj arhitektury tranzistorow, izmeniwshej poluprowodnikowuü promyshlennost', mozhno prosledit' na primere tehnologii FinFET. Jeta nowaq trehmernaq struktura rasshirila wozmozhnosti obychnyh planarnyh tranzistorow s momenta ih poqwleniq. Blagodarqpowyshennoj änergoäffektiwnosti, snizheniü utechek i luchshemu kontrolü nad protekaniem tokaFinFET sowremenem prewratilsq w predpochtitel'nyj wariant dlq wysokoproizwoditel'nyh wychislitel'nyh sistem.

Produktbeschreibung
Razwitie rewolücionnoj arhitektury tranzistorow, izmeniwshej poluprowodnikowuü promyshlennost', mozhno prosledit' na primere tehnologii FinFET. Jeta nowaq trehmernaq struktura rasshirila wozmozhnosti obychnyh planarnyh tranzistorow s momenta ih poqwleniq. Blagodarqpowyshennoj änergoäffektiwnosti, snizheniü utechek i luchshemu kontrolü nad protekaniem tokaFinFET sowremenem prewratilsq w predpochtitel'nyj wariant dlq wysokoproizwoditel'nyh wychislitel'nyh sistem.
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Autorenporträt
Doktor Arpita Patel' - docent kafedry älektroniki i kommunikacionnoj tehniki imeni V.T. Patelq, CHRUSAT, Changa. Ona opublikowala bolee 30 nauchnyh rabot.