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Razwitie rewolücionnoj arhitektury tranzistorow, izmeniwshej poluprowodnikowuü promyshlennost', mozhno prosledit' na primere tehnologii FinFET. Jeta nowaq trehmernaq struktura rasshirila wozmozhnosti obychnyh planarnyh tranzistorow s momenta ih poqwleniq. Blagodarqpowyshennoj änergoäffektiwnosti, snizheniü utechek i luchshemu kontrolü nad protekaniem tokaFinFET sowremenem prewratilsq w predpochtitel'nyj wariant dlq wysokoproizwoditel'nyh wychislitel'nyh sistem.