Razwitie rewolücionnoj arhitektury tranzistorow, izmeniwshej poluprowodnikowuü promyshlennost', mozhno prosledit' na primere tehnologii FinFET. Jeta nowaq trehmernaq struktura rasshirila wozmozhnosti obychnyh planarnyh tranzistorow s momenta ih poqwleniq. Blagodarqpowyshennoj änergoäffektiwnosti, snizheniü utechek i luchshemu kontrolü nad protekaniem tokaFinFET sowremenem prewratilsq w predpochtitel'nyj wariant dlq wysokoproizwoditel'nyh wychislitel'nyh sistem.
Bitte wählen Sie Ihr Anliegen aus.
Rechnungen
Retourenschein anfordern
Bestellstatus
Storno