Aktual'nost' dannoj raboty obuslovlena shirokoj oblast'ju primeneniem lazernyh poluprovodnikovyh izluchatelej. Moshhnye lazernye diody nahodyat primenenie v lazernyh ustrojstvah voennogo i medicinskogo naznacheniya, promyshlennosti, sistemah nakachki tverdotel'nyh i volokonnyh lazerov. Po sravneniju s lampovymi ustrojstvami nakachki lazernye diody obespechivajut maximal'nyj KPD nakachki, vysokie jexpluatacionnye harakteristiki i znachitel'nyj srok sluzhby. Bol'shaya moshhnost' izlucheniya lazernyh diodov pozvolyaet ispol'zovat' ih dlya sozdaniya priborov, shiroko primenyaemyh v sistemah obespecheniya bezopasnosti, svyazi, tehnologii i drugih oblastyah. Cel'ju raboty yavlyaetsya sozdanie geterostruktur na osnove arsenida galliya dlya impul'snyh lazernyh poluprovodnikovyh izluchatelej, pozvolyajushhih poluchat' lazernyj puchok s zadannymi znacheniyami moshhnosti, rashodimosti i dliny volny i obladajushhih neobhodimymi vatt-ampernymi i vol't-ampernymi harakteristikami.