V sowremennoj poluprowodnikowoj tehnologii wazhnoj problemoj qwlqetsq poluchenie materialow s zadannymi älektrofizicheskimi swojstwami i izgotowlenie priborow na ih osnowe s neobhodimymi parametrami. Izwestno, chto legirowanie poluprowodnikow primesqmi, sozdaüschimi glubokie änergeticheskie urowni (GJeU), - odin iz osnownyh sposobow formirowaniq swojstw poluprowodnikowyh materialow. Iz izwestnyh na segodnqshnij den' poluprowodnikowyh materialow naibolee shiroko primenqemym i perspektiwnym w nauke i tehnike qwlqetsq kremnij. Harakternoj osobennost'ü kremniq, kak i drugih poluprowodnikowyh materialow, qwlqetsq wysokaq chuwstwitel'nost' ko wsqkomu widu narushenij periodichnosti kristallicheskoj reshetki - defektam kristalla. Issledowanie mehanizmow fizicheskih qwlenij, proishodqschih w legirowannom kremnii pod wliqniem wneshnih wozdejstwij (temperatury i radiacii), neobhodimo dlq powysheniq termo- i radiacionnoj stabil'nosti älektrofizicheskih i rekombinacionnyh swojstw kremniq i qwlqetsq odnim iz aktual'nyh naprawlenij fiziki twerdogo tela.