26,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

V knige opisana razrabotka i optimizaciya konstrukcii geterofotodioda InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/ InAsSbP v otnoshenii tolshhin, koncentracij, a takzhe geometrii omicheskih kontaktov. Sozdany i issledovany fotodiody na osnove geterostruktur InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP s diametrami fotochuvstvitel'noj ploshhadki 0.3 mm, dlya jekologicheskogo monitoringa. Otlichitel'noj osobennost'ju fotodiodov yavlyaetsya tokovaya monohromaticheskaya chuvstvitel'nost' v maximume spektra ( max = 4.0 - 4.6 mkm), dostigajushhaya znachenij 0.6-0.8 A/Vt, znachenie plotnosti…mehr

Produktbeschreibung
V knige opisana razrabotka i optimizaciya konstrukcii geterofotodioda InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/ InAsSbP v otnoshenii tolshhin, koncentracij, a takzhe geometrii omicheskih kontaktov. Sozdany i issledovany fotodiody na osnove geterostruktur InAs/InAs0.94Sb0.06/InAsSbP/InAs0.88Sb0.12/InAsSbP s diametrami fotochuvstvitel'noj ploshhadki 0.3 mm, dlya jekologicheskogo monitoringa. Otlichitel'noj osobennost'ju fotodiodov yavlyaetsya tokovaya monohromaticheskaya chuvstvitel'nost' v maximume spektra ( max = 4.0 - 4.6 mkm), dostigajushhaya znachenij 0.6-0.8 A/Vt, znachenie plotnosti obratnyh temnovyh tokov (1.3 - 7.5)×10-2 A/sm2 pri napryazhenii obratnogo smeshheniya 0.2 V. Differencial'noe soprotivlenie v otsutstvii smeshheniya dostigaet velichiny 700 - 800 Om. Obnaruzhitel'naya sposobnost' fotodiodov v maximume spektral'noj chuvstvitel'nosti dostigaet (5 - 8)×108 sm - Gc1/2-Vt-1. Predlozhen i oprobovan novyj metod povysheniya kvantovoj jeffektivnosti fotodiodov dlya srednego IK diapazona spektra (s granichnoj dlinoj volny 5.0 mkm), zakljuchajushhijsya v primenenii krivolinejnoj mnogokratno otrazhajushhej poverhnosti na tyl'noj storone fotodiodnogo chipa v vide polusfericheskih yamok.
Autorenporträt
Sherstnew Viktor Veniaminowich rodilsq 1953 g., imeü dwuh detej. Stepen' magistra poluchil w 1977 g. w Krasnoqrskom Politehnicheskom institute (radio-tehnicheskij fakul'tet) po special'nosti konstruirowanie i tehnologiq radioälektronnoj apparatury. V 1990 g. priswoeno zwanie kandidata fiz.-mat. nauk w FTI im.A.F.Ioffe.