Fundamental'nye issledowaniq sozdaniq mozaichnyh fotopriemnikow (MFP) swerhwysokoj razmernosti pozwolili optimizirowat' prototip mozaichnoj tehnologii s umen'sheniem "slepyh zon" put¿m dostizheniq minimal'nyh oblastej powrezhdeniq kräw pri razdelenii plastin na kristally s obespecheniem minimal'nyh zazorow mezhdu kristallami smezhnyh submodulej w sostawe precizionnoj mikrosborki MFP do welichiny ne bolee 2-3 mkm dlq raznyh opredelqüschih poluprowodnikowyh materialow. Issledowany bazowye parametry IK MFP swerhwysokoj razmernosti w zawisimosti ot dliny wolny maximuma spektral'noj harakteristiki fotochuwstwitel'nosti mnogoslojnyh struktur s kwantowymi qmami (MSKYa), shaga MSKYa i formata submodulej. Nowye predlozhennye tehnologicheskie warianty ispolneniq prototipow MFP swerhwysokoj razmernosti wirtual'no perekrywaüt "slepye zony" i obespechiwaüt predel'nuü, 100%-uü, äffektiwnost' preobrazowaniq mnogomernyh fotosignalow. Opredeleno, chto mozaichnyj princip qwlqetsq odnim iz fundamental'nyh, tehnologicheskih podhodow dlq dostizheniq swerhwysokoj razmernosti IK MFP s maximal'noj äffektiwnost'ü preobrazowaniq izobrazhenij.