A Funcão Resposta (FR) foi desenvolvida para detectores Semicondutores, Ge e Si(Li), usando o método semiempirico. Foi calculada a FR para 4 de HpGe de volumens ativos:89cm3, 50cm3, 8cm3 e 5 cm3, e um de Sil(Li) de 0,143cm3 de volume ativo. O intervalo de energia usado foi de 6 KeV ate 1,5 MeV. A FR foi estudada levando em conta tanto a geometria como a eletrônica de deteção. Neste trabalho, estruturas para o espalhamento Comptom no cristal do detector foram propostas assim como também espectros usando o metodo de Monte Carlo foram produzidos para o estudo das estruturas de espalhamento nas vizinhanças do detector.