32,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in über 4 Wochen
  • Broschiertes Buch

V monografii predlozhena nowaq konstrukciq poluprowodnikowoj fotograficheskoj sistemy, kotoraq fotopriemnikom infrakrasnogo izlucheniq do ¿ = 4,2 sluzhit Si (Pt). Rezul'taty chislennogo rascheta ob optimal'nom legirowanii metodom termodiffuzii fotopriemnika Si (Pt) srawniwaütsq s äxperimental'nymi dannymi. Priwodqtsq foto-i termoälektricheskie harakteristiki fotograficheskoj sistemy. Monografiq dlq nauchnyh i inzhenernyh - tehnicheskih rabotnikow, specialistow w oblasti fiziki i tehniki poluprowodnikow. Ona mozhet byt' predostawlena ¿¿magistram i doktorantam, a takzhe studentam uniwersitetow i…mehr

Produktbeschreibung
V monografii predlozhena nowaq konstrukciq poluprowodnikowoj fotograficheskoj sistemy, kotoraq fotopriemnikom infrakrasnogo izlucheniq do ¿ = 4,2 sluzhit Si (Pt). Rezul'taty chislennogo rascheta ob optimal'nom legirowanii metodom termodiffuzii fotopriemnika Si (Pt) srawniwaütsq s äxperimental'nymi dannymi. Priwodqtsq foto-i termoälektricheskie harakteristiki fotograficheskoj sistemy. Monografiq dlq nauchnyh i inzhenernyh - tehnicheskih rabotnikow, specialistow w oblasti fiziki i tehniki poluprowodnikow. Ona mozhet byt' predostawlena ¿¿magistram i doktorantam, a takzhe studentam uniwersitetow i wysshih uchebnyh zawedenij, specializiruüschimisq po poluprowodnikowoj mikroälektronike.
Autorenporträt
Juldashew Hurshidzhon Tolibowich. Doktor filosofii fiziko-matematicheskih nauk. Awtor bolee 30 mezhdunarodnyh i otechestwennyh statej, a takzhe 2 patentow. V nastoqschee wremq on qwlqetsq docentom Ferganskogo politehnicheskogo instituta.