Gibridnye fotoälektricheskie sistemy na osnowe ZnO/P3ATs
Proizwodstwo i harakteristika gibridnogo solnechnogo älementa na osnowe oxida cinka i poli-3-alkiltiofenow
Versandkostenfrei!
Versandfertig in 6-10 Tagen
23,99 €
inkl. MwSt.
PAYBACK Punkte
12 °P sammeln!
Rastuschij tehnologicheskij progress trebuet razrabotki chistyh i wozobnowlqemyh istochnikow änergii. Neorganicheskie/organicheskie gibridnye solnechnye älementy stali al'ternatiwoj dlq polucheniq fotoälektricheskoj änergii. Gibridnye solnechnye älementy iz poluprowodnikowyh oxidow i prowodqschih polimerow byli shiroko izucheny. Poli(3-alkiltiofen), P3AT, - organicheskie polimery, obrazowannye soprqzhennymi strukturami, obladaüschie prowodqschimi swojstwami, fotolüminescenciej, podwizhnost'ü zarqda i wysokoj stabil'nost'ü. Oxid cinka (ZnO) byl ispol'zowan w kachestwe akceptora älektr...
Rastuschij tehnologicheskij progress trebuet razrabotki chistyh i wozobnowlqemyh istochnikow änergii. Neorganicheskie/organicheskie gibridnye solnechnye älementy stali al'ternatiwoj dlq polucheniq fotoälektricheskoj änergii. Gibridnye solnechnye älementy iz poluprowodnikowyh oxidow i prowodqschih polimerow byli shiroko izucheny. Poli(3-alkiltiofen), P3AT, - organicheskie polimery, obrazowannye soprqzhennymi strukturami, obladaüschie prowodqschimi swojstwami, fotolüminescenciej, podwizhnost'ü zarqda i wysokoj stabil'nost'ü. Oxid cinka (ZnO) byl ispol'zowan w kachestwe akceptora älektronow w ätom tipe qcheek, poskol'ku on obladaet podhodqschimi swojstwami perenosa älektronow, netoxichen i mozhet byt' sintezirowan prostymi metodami, pri ätom war'irowanie parametrow sinteza pozwolqet kontrolirowat' morfologiü. Razlichnye morfologii ZnO obespechiwaüt razlichnye swojstwa w plane älektronnogo transporta na granice razdela solnechnyh älementow. Cel'ü dannoj raboty bylo ocenit' wliqnie morfologii ZnO na zakreplenie poli(3-gexiltiofena) P3HT i poli(3-oktiltiofena) P3OT i wyqsnit' prowodqschie swojstwa gibridnyh solnechnyh älementow ZnO/P3HT i ZnO/P3OT.
Andere Kunden interessierten sich für
