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Dünne Schichten aus Cadmiumchalcogeniden (CdX, mit X = S, Se und Te) stellen eine große AIIBVI-Gruppe kristalliner Materialien dar, die ein kanonisches halbleitendes Verhalten aufweisen. Diese Materialien sind wegen ihres großen Anwendungspotenzials in verschiedenen Bereichen optoelektronischer Geräte ein wichtiges Forschungsgebiet. Auf der Grundlage der Anwendung einer Reihe moderner experimenteller Methoden und theoretischer Ansätze werden in dieser Monographie eine Reihe von Ergebnissen vorgestellt, die ein wichtiges wissenschaftliches und angewandtes Problem lösen. Es geht um das…mehr

Produktbeschreibung
Dünne Schichten aus Cadmiumchalcogeniden (CdX, mit X = S, Se und Te) stellen eine große AIIBVI-Gruppe kristalliner Materialien dar, die ein kanonisches halbleitendes Verhalten aufweisen. Diese Materialien sind wegen ihres großen Anwendungspotenzials in verschiedenen Bereichen optoelektronischer Geräte ein wichtiges Forschungsgebiet. Auf der Grundlage der Anwendung einer Reihe moderner experimenteller Methoden und theoretischer Ansätze werden in dieser Monographie eine Reihe von Ergebnissen vorgestellt, die ein wichtiges wissenschaftliches und angewandtes Problem lösen. Es geht um das Verständnis der Hauptmerkmale des Einflusses von Methoden zur Synthese und Modifikation von AIIBVI-Filmen auf die strukturell-morphologischen und optoelektronischen Eigenschaften von AIIBVI-Filmen.
Autorenporträt
Andrii I. Kashuba é Investigador Sénior na Universidade Nacional Politécnica de Lviv. Ihor V. Semkiv é Pesquisador Sênior na Universidade Nacional Politécnica de Lviv. Oleh S. Kushnir é Professor, Chefe do Departamento de Optoeletrônica e Tecnologias da Informação da Universidade Nacional I. Franko de Lviv.