Hoge prestatie GaN licht-emitterende diode - LI, ZONGLIN
32,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
16 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

De betrouwbaarheid van InGaN/GaN licht emitterende diodes (LEDs) met verschillende emissiegolflengtes en verschillende geometrieën werd bestudeerd. De prestaties van de apparaten, zoals stroom-spanningskarakteristieken, 1/f-ruisspectrum, lekkage en statische weerstand, werden gemeten. De apparaten ondergingen een stresstest van 1000 uur met constante stroom en de degradatiesnelheid van hun optische output werd onderzocht. De resultaten werden verklaard door kruiselingse gegevens.

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
De betrouwbaarheid van InGaN/GaN licht emitterende diodes (LEDs) met verschillende emissiegolflengtes en verschillende geometrieën werd bestudeerd. De prestaties van de apparaten, zoals stroom-spanningskarakteristieken, 1/f-ruisspectrum, lekkage en statische weerstand, werden gemeten. De apparaten ondergingen een stresstest van 1000 uur met constante stroom en de degradatiesnelheid van hun optische output werd onderzocht. De resultaten werden verklaard door kruiselingse gegevens.
Autorenporträt
Zonglin Li obtuvo el título de M.S.E. en 2009 por la Universidad de Hong Kong. Actualmente está trabajando para obtener el título de doctorado en ingeniería eléctrica en la Universidad de California en Riverside. Sus principales intereses son el proceso, la tecnología y la integración de dispositivos basados en nitruro de galio en la plataforma de silicio.