Ali Alaeddine

Impact des perturbations électromagnétiques sur les composants Si/SiGe

Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques: des dégradations électriques à l¿analyse structurale

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Produktbeschreibung

Cette travail propose une nouvelle méthodologie pour l'étude de la fiabilité des TBHs en technologie SiGe. L'originalité de cette étude vient de l'utilisation d'une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l'aide du banc champ proche. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l'interface Si/SiO2.Ceci est attribué à un phénomène de piégeage induit par des porteurs chauds. Ce phénomène a été abordé par la modélisation physique en étudiant l'influence des pièges d'interfaces sur la dérive des performances. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent être détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET et des analyses EDS ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane. Ces dégradations sont attribuées à un phénomène de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due à la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.

Produktdetails

• Verlag: Éditions universitaires européennes
• Seitenzahl: 220
• Erscheinungstermin: 5. September 2011
• Französisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 14mm
• Gewicht: 346g
• ISBN-13: 9786131587214
• ISBN-10: 6131587213
• Artikelnr.: 34152589

Autorenporträt

Ali Alaeddine was born in Zabboud-Lebanon,in April 1984. He took his PH.D degree in France thanks to the collaboration between IRSEEM/ESIGELEC and GPM/University of Rouen, with the partnership of THALES AIR SYSTEMS.His research interests are EMC and microelectronics reliability. He is an associate professor at the University of Rouen-France.