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Las partículas cargadas pueden causar efectos adversos en las naves espaciales y en los componentes electrónicos. Los efectos de la radiación de las partículas de alta energía provocan la carga de la superficie de la nave espacial, la degradación o el fallo permanente de los componentes y subsistemas electrónicos por efectos de evento único, daños por desplazamiento y efectos de dosis ionizantes en la nave espacial. Los efectos de los transitorios de carga inducidos por iones pueden dividirse en las tres categorías básicas: Dosis ionizante total (TID), transferencia de energía lineal (LET) y…mehr

Produktbeschreibung
Las partículas cargadas pueden causar efectos adversos en las naves espaciales y en los componentes electrónicos. Los efectos de la radiación de las partículas de alta energía provocan la carga de la superficie de la nave espacial, la degradación o el fallo permanente de los componentes y subsistemas electrónicos por efectos de evento único, daños por desplazamiento y efectos de dosis ionizantes en la nave espacial. Los efectos de los transitorios de carga inducidos por iones pueden dividirse en las tres categorías básicas: Dosis ionizante total (TID), transferencia de energía lineal (LET) y perturbación por un solo evento (SEU).El efecto TID es la acumulación de energía ionizante depositada durante un largo período en los materiales semiconductores. El TID se produce principalmente debido a los electrones y protones, que pueden causar el fallo del dispositivo. La pérdida o transferencia total de energía al material por unidad de distancia de viaje a través del material se denomina LET Los dispositivos electrónicos pueden ser perturbados por el paso de electrones energéticos, protones o iones más pesados que pueden alterar el estado de un circuito, produciendo "efectos de evento único". SEU y alteración de múltiples bits (MBU) que cambian el estado lógico de los nodos internos del circuito. Pueden restablecerse mediante diferentes operaciones eléctricas. Estos errores se denominan errores blandos y son recuperables.
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Autorenporträt
Keyur Mahant nasceu em Cambay, Índia, a 2 de Agosto de 1986. Recebeu o B.Tech em Electrónica e Comunicação do C U Shah College of engineering and technology, Índia em 2008. Também recebeu M.Tech em Sistema de Comunicação da Universidade de CHARUSAT, Índia em 2011. Actualmente, está a prosseguir o seu doutoramento na área de RF e Microondas.