51,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
payback
26 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Povyshennyj interes k tehnologii izgotovleniya struktur kremnij na izolyatore (KNI) obuslovlen vozmozhnost'ju uluchshit' takie harakteristiki integral'nyh shem, kak bystrodejstvie, predel'naya rabochaya temperatura, radiacionnaya stojkost'. Blagodarya umen'sheniju geometricheskih razmerov, utechek, parazitnyh emkostej i povysheniju izolyacionnyh parametrov jelementov takzhe mozhno snizit' potreblenie jenergii. Krome togo, pribory na strukturah KNI mozhno primenyat' v jextremal'nyh usloviyah jexpluatacii. Neobhodimo otmetit', chto KNI- tehnologiya yavlyaetsya odnim iz naibolee dinamichno…mehr

Produktbeschreibung
Povyshennyj interes k tehnologii izgotovleniya struktur kremnij na izolyatore (KNI) obuslovlen vozmozhnost'ju uluchshit' takie harakteristiki integral'nyh shem, kak bystrodejstvie, predel'naya rabochaya temperatura, radiacionnaya stojkost'. Blagodarya umen'sheniju geometricheskih razmerov, utechek, parazitnyh emkostej i povysheniju izolyacionnyh parametrov jelementov takzhe mozhno snizit' potreblenie jenergii. Krome togo, pribory na strukturah KNI mozhno primenyat' v jextremal'nyh usloviyah jexpluatacii. Neobhodimo otmetit', chto KNI- tehnologiya yavlyaetsya odnim iz naibolee dinamichno razvivajushhihsya napravlenij poluprovodnikovogo materialovedeniya. Odnako problema obespecheniya vysokih jelektrofizicheskih i funkcional'nyh parametrov priborov, a takzhe ih radiacionnoj stojkosti i nadezhnosti v sushhestvennoj mere opredelyaetsya vysokoj defektnost'ju pribornyh sloev kremniya. Dlya struktur "kremnij na sapfire" jeta defektnost' obuslovlena, v chastnosti, razlichiem kristallograficheskogo stroeniya kremniya i sapfira, a takzhe avtolegirovaniem kremnievoj plenki aljuminiem iz sapfirovoj podlozhki.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
Arslan Mustafaew doktor tehnicheskih nauk, professor. Oblast' interesow - mikroälektronika, tehnologiq poluprowodnikow.Gasan Mustafaew doktor tehnicheskih nauk, professor. Oblast' interesow - nanoälektronika, radiacionnaq tehnologiq.Tadzhidin Sarkarow doktor tehnicheskih nauk, professor. Oblast' interesow - ionnaq obrabotka, perspektiwnye materialy.