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Los transistores de efecto de campo (FET) fabricados en los circuitos integrados son principalmente con uniones. Debido a la reducción de la escala del dispositivo, la fabricación de estas uniones se ha vuelto gradualmente más difícil. Además, existe una estricta necesidad de tener un alto gradiente de concentración de dopaje para el buen funcionamiento del dispositivo. Recientemente, los investigadores se están centrando en nuevos dispositivos en los que no hay uniones y no se requiere un gradiente de dopaje. Una de estas estructuras es el MOSFET de doble puerta sin unión (JL-DG MOSFET), que ha demostrado un mejor rendimiento frente al efecto de canal corto, es decir, la disminución de la barrera inducida por el drenaje (DIBL), los cambios en la tensión umbral, etc.