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Os transístores de efeito de campo (FETs) fabricados em circuitos integrados são maioritariamente com junções. Devido à diminuição da escala do dispositivo, a fabricação destas junções tornou-se gradualmente mais difícil. Além disso, existe uma necessidade rigorosa de ter um elevado gradiente de concentração de doping para o bom funcionamento do dispositivo. Recentemente, os investigadores estão a concentrar-se em novos dispositivos em que os dispositivos são menos junção e sem necessidade de gradiente de dopagem. Uma dessas estruturas é o MOSFET (JL-DG MOSFET) de porta dupla sem junção, que…mehr

Produktbeschreibung
Os transístores de efeito de campo (FETs) fabricados em circuitos integrados são maioritariamente com junções. Devido à diminuição da escala do dispositivo, a fabricação destas junções tornou-se gradualmente mais difícil. Além disso, existe uma necessidade rigorosa de ter um elevado gradiente de concentração de doping para o bom funcionamento do dispositivo. Recentemente, os investigadores estão a concentrar-se em novos dispositivos em que os dispositivos são menos junção e sem necessidade de gradiente de dopagem. Uma dessas estruturas é o MOSFET (JL-DG MOSFET) de porta dupla sem junção, que tem mostrado um melhor desempenho contra o efeito de canal curto, nomeadamente a redução da barreira induzida pela drenagem (DIBL), alterações na tensão limite, etc.
Autorenporträt
Gaurav Dhiman wurde 1981 in Pathankot, Indien, geboren. Er erhielt 2003 den B.Tech.-Abschluss in Elektronik und Kommunikationstechnik von der Punjab Technical University, Jalandhar, Indien, und 2011 und 2018 den M.Tech.- und Ph.D.-Abschluss in VLSI-Design von der Mody University of Science and Technology (MUST) Lakshmangarh, Rajasthan, Indien.