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Os transístores de efeito de campo (FETs) fabricados em circuitos integrados são maioritariamente com junções. Devido à diminuição da escala do dispositivo, a fabricação destas junções tornou-se gradualmente mais difícil. Além disso, existe uma necessidade rigorosa de ter um elevado gradiente de concentração de doping para o bom funcionamento do dispositivo. Recentemente, os investigadores estão a concentrar-se em novos dispositivos em que os dispositivos são menos junção e sem necessidade de gradiente de dopagem. Uma dessas estruturas é o MOSFET (JL-DG MOSFET) de porta dupla sem junção, que tem mostrado um melhor desempenho contra o efeito de canal curto, nomeadamente a redução da barreira induzida pela drenagem (DIBL), alterações na tensão limite, etc.