Introduzione alle celle solari a etero-giunzione di silicio - Kanneboina, Venkanna
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La domanda di energia solare è in rapida crescita a causa del rapido aumento della popolazione mondiale, dell'utilizzo dell'energia e dello stile di vita. Le celle solari a base di silicio sono la migliore alternativa per soddisfare il fabbisogno energetico della popolazione mondiale. Le celle solari a etero-giunzione c-Si/a-Si:H presentano notevoli vantaggi rispetto alle celle solari basate su c-Si e a-Si:H. L'efficienza di conversione delle celle solari a eterogiunzione c-Si/a-Si:H è paragonabile a quella delle celle solari a base di c-Si. Le celle solari a etero-giunzione c-Si/a-Si:H…mehr

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Produktbeschreibung
La domanda di energia solare è in rapida crescita a causa del rapido aumento della popolazione mondiale, dell'utilizzo dell'energia e dello stile di vita. Le celle solari a base di silicio sono la migliore alternativa per soddisfare il fabbisogno energetico della popolazione mondiale. Le celle solari a etero-giunzione c-Si/a-Si:H presentano notevoli vantaggi rispetto alle celle solari basate su c-Si e a-Si:H. L'efficienza di conversione delle celle solari a eterogiunzione c-Si/a-Si:H è paragonabile a quella delle celle solari a base di c-Si. Le celle solari a etero-giunzione c-Si/a-Si:H possono essere facilmente fabbricate a temperature inferiori a 200oC, mentre la formazione della giunzione nelle celle solari convenzionali a base di c-Si avviene solitamente tramite una fase di diffusione termica, per la quale è necessaria una temperatura di 800-1000 oC. Questa bassa temperatura consente l'uso di wafer più sottili e il bilancio termico durante la formazione dell'etero-giunzione è notevolmente ridotto rispetto alla formazione dell'omo-giunzione. Le celle solari in silicio a etero-giunzione mostrano un calo di prestazioni minore con l'aumentare della temperatura rispetto alle celle solari convenzionali in c-Si. Nelle celle solari a etero-giunzione, il miglioramento della passivazione superficiale e la riduzione delle perdite di ricombinazione determinano valori di tensione a circuito aperto più elevati e quindi un'alta efficienza.
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Autorenporträt
Venkanna Kanneboina,Professeur adjoint de physique,Département des sciences et des humanités,St. Martin's Engineering College,Dhulapally, Secunderabad-500100, Telangana, Inde.