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Atualmente alguns dispositivos semicondutores são capazes de conduzir elevadas correntes e suportar grandes tensões quando bloqueados. Como exemplos podem-se citar: IGBT, IGCT, GCT, GTO e SCR. Entretanto, em algumas aplicações são requeridas tensões e correntes que vão além do valor máximo permitido para estes dispositivos. Uma alternativa para diminuir os esforços nestes dispositivos seria o emprego dos inversores multiníveis. Estes inversores têm como principal característica, obter uma forma de onda com diversos níveis de tensão na carga. As vantagens das estruturas multiníveis incluem…mehr

Produktbeschreibung
Atualmente alguns dispositivos semicondutores são capazes de conduzir elevadas correntes e suportar grandes tensões quando bloqueados. Como exemplos podem-se citar: IGBT, IGCT, GCT, GTO e SCR. Entretanto, em algumas aplicações são requeridas tensões e correntes que vão além do valor máximo permitido para estes dispositivos. Uma alternativa para diminuir os esforços nestes dispositivos seria o emprego dos inversores multiníveis. Estes inversores têm como principal característica, obter uma forma de onda com diversos níveis de tensão na carga. As vantagens das estruturas multiníveis incluem qualidade na alimentação, excelente distribuição de tensão nos interruptores, boa compatibilidade eletromagnética, baixa perda de comutação e capacidade de trabalhar em altas tensões e potências. O Inversor Multinível em Cascata é um dos inversores multiníveis mais utilizados na indústria, entretanto, o mesmo é patenteado. Assim, neste documento é apresentada uma versão não patenteada deste inversor utilizando células de comutação em série.
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Autorenporträt
Gierri Waltrich is an Assistant Professor at Federal University of Santa Catarina (UFSC), Brazil. He received the B.S. and M.S. degrees in electrical engineering from UFSC, in 2007 and 2009, respectively, and the Ph.D. degree, in electrical engineering, from Eindhoven University of Technology (TU/e), The Netherlands, in 2013.