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La progresión en la integración a muy gran escala permite colocar miles de millones de transistores y componentes en un único chip semiconductor para implementar circuitos complejos. El crecimiento de la tecnología reciente se dirige hacia la miniaturización de los dispositivos semiconductores, que tienen varios obstáculos notables en la disipación de calor, la utilidad de la energía, el área del chip y la eficiencia de los dispositivos. A medida que la tecnología avanza hacia el nivel submicrónico profundo, el tamaño de las características y la disipación de energía debida a la corriente de fuga aumentan a un ritmo alarmante. Numerosas proyecciones muestran que la potencia de fuga se convertirá en análoga a la disipación de potencia dinámica en los próximos años; sin embargo, la potencia dinámica también está aumentando y sigue dominando. La solución óptima para resolver estos obstáculos es analizar el rendimiento de los circuitos VLSI diseñados utilizando diferentes tecnologías CMOS.
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