Investigation on Schottky-Barrier MOSFETs for Memory Application Schottky-Barrier Flash Memory
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
06.12.2010
Verlag
LAP LAMBERT Academic PublishingSeitenzahl
100
Maße (L/B/H)
22/15/0,7 cm
Gewicht
167 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-8433-7747-8
The structure of Schottky-barrier (SB) MOSFETs was investigated for both the perspective of practical applications and interest in novel Flash memory. We demonstrated how the source-side injection of hot electrons in the dopant-segregated SB (DSSB) Flash memory cell achieves high-speed, low-voltage programming with excellent injection efficiency, and no constraints on the optimization of gate and drain voltages. Moreover, the drain disturbance-free phenomenon in NOR Flash architecture was achieved. Excellent programming efficiency, especially, was achieved in a DSSB Flash device with a narrow fin width due to an enhanced lateral electric field without any sacrifice of parasitic resistance. Thus, the DSSB device can be a promising candidate in NOR Flash memory for attaining a lower programming voltage and power consumption.
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