• Produktbild: Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond
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Investigation on SiGe Selective Epitaxy for Source and Drain Engineering in 22 nm CMOS Technology Node and Beyond

Aus der Reihe Springer Theses
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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

02.10.2019

Abbildungen

XVI, 115 p.

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

115

Maße (L/B/H)

24,1/16/1,3 cm

Gewicht

371 g

Auflage

19001 Auflage 1st edition 2019

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-15-0045-9

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Erscheinungsdatum

02.10.2019

Abbildungen

XVI, 115 p.

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Springer Singapore

Seitenzahl

115

Maße (L/B/H)

24,1/16/1,3 cm

Gewicht

371 g

Auflage

19001 Auflage 1st edition 2019

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-15-0045-9

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Introduction.- Strain technology of Si-based materials.- SiGe Epitaxial Growth and material characterization.- SiGe Source and Drain Integration and transistor performance investigation.- Pattern Dependency behavior of SiGe Selective Epitaxy.- Summary and final words.