Andere Kunden interessierten sich auch für
![Internet-tehnologii w prepodawanii obschej fiziki]( "Internet-tehnologii w prepodawanii obschej fiziki")
Internet-tehnologii w prepodawanii obschej fiziki39,99 €![Nanostruktury magnitnyh poluprowodnikow - buduschee spintroniki]( "Nanostruktury magnitnyh poluprowodnikow - buduschee spintroniki")
Nanostruktury magnitnyh poluprowodnikow - buduschee spintroniki33,99 €![Opticheskie i älektricheskie swojstwa ftalocianinowyh poluprowodnikow]( "Opticheskie i älektricheskie swojstwa ftalocianinowyh poluprowodnikow")
Opticheskie i älektricheskie swojstwa ftalocianinowyh poluprowodnikow39,99 €![Tehnicheskaq dokumentaciq po tehnologii reagentnoj obrabotki]( "Tehnicheskaq dokumentaciq po tehnologii reagentnoj obrabotki")
Tehnicheskaq dokumentaciq po tehnologii reagentnoj obrabotki39,99 €![Kristally Ge-Si i ih swojstwa]( "Kristally Ge-Si i ih swojstwa")
Kristally Ge-Si i ih swojstwa41,99 €![Magnitoälektricheskij i ¿E äffekty w strukturah ferrit-p'ezoälektrik]( "Magnitoälektricheskij i ¿E äffekty w strukturah ferrit-p'ezoälektrik")
Magnitoälektricheskij i ¿E äffekty w strukturah ferrit-p'ezoälektrik39,99 €![Dinamicheskie gologrammy w nelinejnyh sredah]( "Dinamicheskie gologrammy w nelinejnyh sredah")
Dinamicheskie gologrammy w nelinejnyh sredah32,99 €
Razrabotka nowyh priborow ili suschestwennoe uluchshenie ih parametrow nuzhdaütsq w razwitii fizicheskih osnow inzhenerii defektow w ih tehnologii. Dlq sozdaniq nowogo pokoleniq silowyh wysokowol'tnyh priborow (SVP) potrebowalas' razrabotka tehnologii izgotowleniq struktur s p-n perehodami na osnowe bezdislokacionnogo nejtronno-legirowannogo kremniq bol'shogo diametra. V takih strukturah dominiruüschim tipom strukturnyh defektow qwlqütsq sobstwennye tochechnye defekty (STD) i ih komplexy. Powedenie STD pri harakternyh dlq SVP temperaturah i wremenah ne bylo izucheno, i otwergalos' ih uchastie w formirowanii älektricheski aktiwnyh centrow. Pri zarozhdenii kremniewoj optoälektroniki wyskazywalis' somneniq o wozmozhnosti sozdaniq swetodiodow na osnowe kremniq, poskol'ku on qwlqetsq ne prqmozonnym poluprowodnikom. Sozdanie äffektiwnyh swetodiodow potrebowalo issledowaniq processow obrazowaniq strukturnyh defektow, älektricheski i opticheski aktiwnyh centrow pri legirowanii kremniq ionami ärbiq. V knige predstawleny fizicheskie osnowy inzhenerii defektow w tehnologii kremniewyh silowyh i swetoizluchaüschih struktur. Kniga rasschitana na studentow i prepodawatelej uniwersitetow, aspirantow i nauchnyh rabotnikow.