Inzicht in de groei van epitaxiale InAs/GaAs nanodraden - Paladugu, Mohan _hand
32,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

Materialen met kleinere schalen vertonen veelbelovende eigenschappen die nuttig zijn voor een grote verscheidenheid van toepassingen. Halfgeleider quantum wells en quantum dots zijn twee belangrijke voorbeelden van laagdimensionale systemen, waarbij de quantum wells als tweedimensionale systemen fungeren en de quantum dots als nuldimensionale systemen. Halfgeleidende nanodraden fungeren daarentegen als eendimensionale materialen, en zij vertonen veelbelovende en op apparaten toepasbare eigenschappen. Verwacht wordt dat deze halfgeleidernanodraden de bouwstenen zullen vormen voor toekomstige…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Materialen met kleinere schalen vertonen veelbelovende eigenschappen die nuttig zijn voor een grote verscheidenheid van toepassingen. Halfgeleider quantum wells en quantum dots zijn twee belangrijke voorbeelden van laagdimensionale systemen, waarbij de quantum wells als tweedimensionale systemen fungeren en de quantum dots als nuldimensionale systemen. Halfgeleidende nanodraden fungeren daarentegen als eendimensionale materialen, en zij vertonen veelbelovende en op apparaten toepasbare eigenschappen. Verwacht wordt dat deze halfgeleidernanodraden de bouwstenen zullen vormen voor toekomstige nano-elektronische en nano-opto-elektronische apparatuurtechnologie. Modulatie van de samenstelling binnen een individuele nanodraad (heterostructuur) maakt het ontwerpen van de bandstructuur van een nanodraad mogelijk en maakt daardoor de fabricage van enkelvoudige nanodraadapparaten mogelijk. Deze nanodraad heterostructuren vertonen vele potentiële eigenschappen en daaruit voortvloeiende toepassingen. Echter, de fundamentele groeimechanismen nanodraad heterostructuren zijn niet voldoende onderzocht vanwege hun complexe aard van de groei. In dit verband behandelt dit boek de fundamentele problemen die samenhangen met de groei van epitaxiale axiale en radiale nanodraad heterostructuren.
Autorenporträt
El Dr. Mohan chand Paladugu se doctoró en Ingeniería de Materiales por la Universidad de Queensland, Brisbane, Australia, y obtuvo un máster en Tecnología (M.Tech) por el Instituto Indio de Tecnología de Madrás (IITM), India. Además, cuenta con varios años de experiencia laboral esencial en las industrias metalúrgica y de procesamiento de materiales.