Irradiação de electrões MeV de Si heteroestruturas - Kaschieva, Sonia;Dmitriev, Sergey N.
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Foi estudada a geração de defeitos de irradiação por irradiação electrónica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de óxidos. As alterações morfológicas do óxido de SiO2 durante a irradiação dos electrões do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ iões implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradiação dos electrões MeV são apresentadas. A redistribuição dos átomos de oxigénio e silício e a geração de nanocristais de Si durante a irradiação dos electrões MeV foi observada pelas técnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades ópticas, a…mehr

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Produktbeschreibung
Foi estudada a geração de defeitos de irradiação por irradiação electrónica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de óxidos. As alterações morfológicas do óxido de SiO2 durante a irradiação dos electrões do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ iões implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradiação dos electrões MeV são apresentadas. A redistribuição dos átomos de oxigénio e silício e a geração de nanocristais de Si durante a irradiação dos electrões MeV foi observada pelas técnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades ópticas, a fotoluminescência e os estudos espectroscópicos das películas de SiOx irradiadas com electrões MeV são também realizados.
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Autorenporträt
Prof. Sonia Kaschieva PhD, DSc, ISSP, BAS. Sofia, Bügaria. Urodzona w 1943 r. w Bügarii. 1999 - Doktor nauk w JINR, Dubna, Rosja. 2004 - Profesor, cz¿onek stowarzyszony ISSP - BAS. Prof. Sergey N. Dmitriev PhD, DSc, JINR, Dubna - Rosja Urodzony w 1954, Rosja 1996 - Doktor nauk w JINR, Dubna, Rosja 2000 - Profesor, dyrektor FLNR JINR.