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La génération de défauts de rayonnement par irradiation d'électrons MeV de haute énergie de la structure Si-SiO2 de type n et p avec différents types d'oxydes a été étudiée. Les changements morphologiques de l'oxyde de SiO2 pendant l'irradiation d'électrons MeV ont été observés par l'AFM. Les structures Si-SiO2 implantées avec des ions Si+ avant et après l'irradiation d'électrons MeV sont présentées. La redistribution des atomes d'oxygène et de silicium et la génération de nanocristaux de Si pendant l'irradiation d'électrons MeV ont été observées par les techniques RBS/C et AFM respectivement. Les propriétés optiques, la photoluminescence et les études spectroscopiques des films de SiOx irradiés par des électrons MeV sont également présentées.
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