Issledowanie wliqniq konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa - Tagirow, Marat Faritowich
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V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' kanala…mehr

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Produktbeschreibung
V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' kanala tranzistora dlq razlichnoj koncentracii legirowaniq kontaktnogo sloq.
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