26,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
13 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' kanala…mehr

Produktbeschreibung
V wypusknoj kwalifikacionnoj rabote issledowalos' wliqnie konstrukcii kontaktnogo sloq i ego recessa na älektronnyj transport w PHEMT nanotranzistorah na geterostrukturah na osnowe AlGaAs/InGaAs. Byli izucheny osnownye principy raboty PHEMT nanotranzistorow i programmnye sredstwa, pozwolqüschie chislenno promodelirowat' rabotu tranzistora. Vybrany naibolee podhodqschie dlq postawlennoj zadachi modeli. S pomosch'ü programmnogo obespecheniq Sentaurus rasschitany i postroeny grafiki VAH, raspredeleniq potenciala, naprqzhennosti älektricheskogo polq, skorosti i koncentracii älektronow wdol' kanala tranzistora dlq razlichnoj koncentracii legirowaniq kontaktnogo sloq.