Izgotowlenie solnechnyh älementow nowogo pokoleniq - P, Khandrasekar; M. S, Prabhu; Inampudi, Prasannakumar
30,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in über 4 Wochen
  • Broschiertes Buch

Sredi razlichnyh fotoälektricheskih tehnologij solnechnye älementy, sensibilizirowannye krasitelem (SKS), priwlekaüt wnimanie kak äffektiwnyj i kommercheski zhiznesposobnyj wariant. DSSC prinadlezhat k tret'emu pokoleniü solnechnyh älementow i stali zametnoj oblast'ü issledowanij w solnechnoj fotowol'taike. Oni osobenno priwlekatel'ny blagodarq bolee prostym proceduram izgotowleniq i äkonomichnosti po srawneniü s solnechnymi älementami na osnowe Si. Cel' raboty - izgotowit' solnechnyj älement s sensibilizaciej krasitelem metodom trafaretnoj pechati s ispol'zowaniem fotosensibilizatora N719 i…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Sredi razlichnyh fotoälektricheskih tehnologij solnechnye älementy, sensibilizirowannye krasitelem (SKS), priwlekaüt wnimanie kak äffektiwnyj i kommercheski zhiznesposobnyj wariant. DSSC prinadlezhat k tret'emu pokoleniü solnechnyh älementow i stali zametnoj oblast'ü issledowanij w solnechnoj fotowol'taike. Oni osobenno priwlekatel'ny blagodarq bolee prostym proceduram izgotowleniq i äkonomichnosti po srawneniü s solnechnymi älementami na osnowe Si. Cel' raboty - izgotowit' solnechnyj älement s sensibilizaciej krasitelem metodom trafaretnoj pechati s ispol'zowaniem fotosensibilizatora N719 i CDCA w kachestwe soadsorbenta. Zatem rasschitywaütsq znacheniq plotnosti toka korotkogo zamykaniq (Jsc), naprqzheniq razomknutoj cepi (Voc), koäfficienta zapolneniq (FF), äffektiwnosti preobrazowaniq änergii (Pce) do i posle degradacii w techenie 30 dnej. Analiziruetsq grafik J-V i P-V s pomosch'ü ciklicheskoj wol'tamperometrii do i posle degradacii. Usiliq po powysheniü äffektiwnosti DSSK naprawleny na wybor krasitelej s bolee wysokimi koäfficientami adsorbcii i bolee shirokim diapazonom dlin woln pogloscheniq, chto pozwolqet luchshe ispol'zowat' solnechnuü änergiü.
Autorenporträt
Doktor P. KHANDRASEKAR poluchil stepen' bakalawra tehnicheskih nauk w Inzhenernom kolledzhe Pondicherri, Pondicherri, w 1997 godu. V 2002 godu poluchil stepen' magistra w oblasti proektirowaniq änergeticheskih sistem, a w 2013 godu - stepen' doktora filosofii w oblasti älektrotehniki w Uniwersitete Anny, Chennai. Imeet 25-letnij opyt prepodawaniq i qwlqetsq professorom po älektrotehnike w uniwersitete Vel Tech.