Sardor Donaew, Baltohodzha Umirzakow, Dilnoza Tashmuhamedowa

Jelektronnaq struktura nanoplenok na osnowe binarnyh materialow

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Produktbeschreibung

Mnogoslojnye sistemy tipa CaF2 ¿ CoSi2 ¿ Si, GaAlAs ¿ GaAs w nastoqschee wremq shiroko primenqütsq w strukturah kremnij (ili inoj poluprowodnik) na diälektrike, priborah na osnowe MDP ¿ struktur. Oni takzhe primenqütsq dlq sozdaniq wspomogatel'nyh älementow pribornyh struktur mikroälektroniki, wklüchaq zaschitnye i diälektricheskie sloi dlq materialow A3V5, opticheskie pokrytiq i okna dlq optoälektroniki, monokristallicheskie wysokorazreshaüschie rezisty, bufernye sloi dlq sozdaniq na osnowe kremniq nowyh geterokompozicij, naprimer, almaz ¿ na kremnii i t.p. V dannoj rabote priwedeny rezul'taty komplexnogo izucheniq mehanizmow modifikacii i osobennostej obrazowaniq nanorazmernyh struktur w powerhnostnyh sloqh PdBa, CoSi2, CaF2 i GaAs pri nizkoänergeticheskoj ionnoj bombardirowke s posleduüschej termicheskoj i lazernoj obrabotkoj.

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Produktdetails

• Verlag: LAP Lambert Academic Publishing
• Seitenzahl: 140
• Erscheinungstermin: 28. Juni 2018
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 9mm
• Gewicht: 227g
• ISBN-13: 9786139864843
• ISBN-10: 6139864844
• Artikelnr.: 53318622

Autorenporträt

Donaew Sardor Burhanowich, docent kafedry "Sistemy obrabotki informacii i uprawleniq", Tashkentskij gosudarstwennyj tehnicheskij uniwersitet ¿ B. Umirzakow, doktor fiziko-matematicheskih nauk, professor kafedry "Obschaq fizika" ¿ D. Tashmuhamedowa, doktor fiziko-matematicheskih nauk, professor kafedry "Tehnologiq proizwodstwa älektronnyh apparatow".