42,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
21 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Monografiya posvyashhena komplexnomu issledovaniju jelektricheskih i ljuminescentnyh svojstv kristallov ZnSe, legirovannyh zolotom v processe ih otzhiga v rasplavah Zn+Au i Se+Au s razlichnoj koncentraciej legirujushhej primesi. Po rezul'tatam jelektricheskih izmerenij vpervye ustanovleno, chto primes' zolota proyavlyaet amfoternye svojstva v kristallah n-ZnSe:Zn:Au. Pri maloj koncentracii zolota ( 0,5 at.%) v rasplave Zn+Au atomy zolota preimushhestvenno vnedryajutsya v mezhduuzliya kristallicheskoj reshjotki ZnSe i sozdajut jelektricheski aktivnye donory Aui s jenergiej aktivacii (22 ± 2)…mehr

Produktbeschreibung
Monografiya posvyashhena komplexnomu issledovaniju jelektricheskih i ljuminescentnyh svojstv kristallov ZnSe, legirovannyh zolotom v processe ih otzhiga v rasplavah Zn+Au i Se+Au s razlichnoj koncentraciej legirujushhej primesi. Po rezul'tatam jelektricheskih izmerenij vpervye ustanovleno, chto primes' zolota proyavlyaet amfoternye svojstva v kristallah n-ZnSe:Zn:Au. Pri maloj koncentracii zolota ( 0,5 at.%) v rasplave Zn+Au atomy zolota preimushhestvenno vnedryajutsya v mezhduuzliya kristallicheskoj reshjotki ZnSe i sozdajut jelektricheski aktivnye donory Aui s jenergiej aktivacii (22 ± 2) mjeV. V spektrah FL takih kristallov vpervye vyyavlena dominirujushhaya I2-liniya (446,8 nm), predstavlyajushhaya soboj superpoziciju dvuh linij izlucheniya: jexitonov, svyazannyh na sobstvennyh (VSe) i primesnyh defektah (Aui). Na osnovanii issledovaniya temperaturnyh zavisimostej kojefficienta Holla i podvizhnosti jelektronov v kristallah n-ZnSe:Zn:Au ustanovleno, chto atomy zolota pri vnedrenii v cinkovye uzly kristallicheskoj reshjotki selenida cinka sozdajut prostye odnozaryadnye jelektricheski i opticheski aktivnye akceptornye centry zameshheniya s jelektronnoj konfiguraciej d10.
Autorenporträt
Vadim Sirkeli okonchil Fizicheskij fakul'tet Moldawskogo gosudarstwennogo uniwersiteta (g. Kishinew) w 2000 godu. V 2005 godu tam zhe zaschitil doktorskuü dissertaciü po special'nosti fizika i inzheneriq poluprowodnikow. V period 2016-2018 AvH-Fellow w Institute Mikrowolnowoj Tehniki i Fotoniki, Darmshtadstkij tehnicheskij uniwersitet (Germaniq).