40,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in über 4 Wochen
payback
20 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

V rabote vpervye provedeno jexperimental'noe issledovanie dinamiki jelektroosazhdeniya medi na uglerodnye voloknistye jelektrody (UVJe) s peremennoj ishodnoj jelektroprovodnost'ju po tolshhine v zavisimosti ot skorosti protoka rastvora i gabaritnoj plotnosti toka. Jexperimental'no pokazano, chto na lokalizaciju metalla po tolshhine UVJe s postoyannoj jelektroprovodnost'ju na protyazhenii vsego vremeni jelektroliza ot nachal'noj fazy do zapolneniya odnoj iz chastej jelektroda metallom osnovnoe vliyanie okazyvaet skorost' protoka rastvora i gabaritnaya plotnost' toka; na UVJe s peremennoj po…mehr

Produktbeschreibung
V rabote vpervye provedeno jexperimental'noe issledovanie dinamiki jelektroosazhdeniya medi na uglerodnye voloknistye jelektrody (UVJe) s peremennoj ishodnoj jelektroprovodnost'ju po tolshhine v zavisimosti ot skorosti protoka rastvora i gabaritnoj plotnosti toka. Jexperimental'no pokazano, chto na lokalizaciju metalla po tolshhine UVJe s postoyannoj jelektroprovodnost'ju na protyazhenii vsego vremeni jelektroliza ot nachal'noj fazy do zapolneniya odnoj iz chastej jelektroda metallom osnovnoe vliyanie okazyvaet skorost' protoka rastvora i gabaritnaya plotnost' toka; na UVJe s peremennoj po tolshhine jelektroprovodnost'ju osnovnoe vliyanie okazyvaet ishodnyj profil' jelektroprovodnosti. Provedjon analiz osnovnyh prichin, opredelyajushhih dinamiku jelektroosazhdeniya medi na jelektrody iz UVM s razlichnym ishodnym profilem jelektroprovodnosti: pervichnogo raspredeleniya potenciala po tolshhine jelektroda, zavisyashhego ot sootnosheniya jelektroprovodnostej jelektroda i rastvora, gabaritnoj plotnosti toka i skorosti protoka rastvora, nalichiya parallel'nyh reakcij vosstanovleniya kisloroda i ionov vodoroda.
Autorenporträt
Awtor zakonchil Nowosibirskij gosudarstwennyj tehnicheskij uniwersitet w 2006 godu. V dannyj moment rabotaet w "Laboratorii älektrohimii geterogennyh sistem" w IHTTM SO RAN posle okonchaniq aspirantury w ätom institute.