Mehrfachsolarzellen können unter Verwendung von III-V-Verbindungen entwickelt werden, die einen hohen photovoltaischen Wirkungsgrad haben und sich bereits als effizienter als herkömmliche Solarzellen erwiesen haben. In Konstruktionen, in denen Unterzellen mit hoher Materialqualität und hohem internen Quantenwirkungsgrad verwendet werden können, können III-V-Verbindungssolarzellen mit Mehrfachübergang einen extrem hohen Wirkungsgrad erzielen. Bei der Verwendung von gitterangepassten Verbindungshalbleitermaterialien ist es jedoch unmöglich, die ideale Bandlückenklassifizierung der Mehrfachzellen zu erreichen. Daher stützen sich die derzeitigen Ansätze für die Entwicklung von Verbindungshalbleiter-Solarzellen entweder auf gitterangepasste Designs oder auf metamorphes Wachstum, was zu einem Mangel an Flexibilität bei der Entwicklung oder zu einer geringeren Materialqualität als erforderlich führt. Direkt gebondete Verbindungen zwischen den Unterzellen einer Mehrfachzellen können als Ersatz für das Defektnetzwerk verwendet werden, das für gitterabgestimmte Raum-zu-Tunnel-Übergangsschnittstellen erforderlich ist.
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