V rabote predstawleny rezul'taty issledowanij po polucheniü slozhnolegirowannyh kristallow Ge-Si, s zadannym sostawom i koncentraciej primesej medi, indiq i sur'my, a takzhe po älektrotransportnym swojstwam i spektru primesnyh sostoqnij w ätih materialah.V priblizhenii polnost'ü razmeshennogo rasplawa, reshena teoreticheskaq zadacha po koncentracionnomu raspredeleniü osnownyh komponentow i primesej w kristallah twördyh rastworow, wyraschennyh iz rasplawa konserwatiwnymi i nekonserwatiwnymi metodami. Pokazano, chto poluchennye matematicheskie sootnosheniq udowletworitel'no opisywaüt äxperimental'nye dannye po raspredeleniü komponentow i primesej indiq i sur'my w kristallah germanij-kremnij. Razrabotany metodiki wyraschiwaniq i legirowaniq primesqmi In i Sb kristallow Ge-Si (0¿h¿0,30) s zadannoj koncentraciej primesej metodom naprawlennogo koncentracionnogo pereohlazhdeniq i konserwatiwnym metodom Bridzhmena. Ustanowleno, chto koäfficienty segregacii issledowannyh primesej izmenqütsq linejno s sostawom twördyh rastworow germanij-kremnij.
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