44,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
payback
22 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

V rabote resheny zadachi, swqzannye s polucheniem slozhnolegirowannyh kristallow twördyh rastworow Ge-Si c zadannym raspredeleniem osnownyh komponentow i primesej, a takzhe s izucheniem spektra primesnyh sostoqnij i älektrotransportnyh qwlenij w ätih materialah. V pfannowskom priblizhenii i w ramkah modeli wirtual'nogo kristalla dlq twördyh rastworow resheny matematicheskie zadachi raspredeleniq komponentow i primesej w kristallah binarnyh sistem, wyraschennyh tradicionnym i modernizirowannym metodami Bridzhmena. Razrabotana metodika wyraschiwaniq kristallow Ge-Si c linejno rastuschej…mehr

Produktbeschreibung
V rabote resheny zadachi, swqzannye s polucheniem slozhnolegirowannyh kristallow twördyh rastworow Ge-Si c zadannym raspredeleniem osnownyh komponentow i primesej, a takzhe s izucheniem spektra primesnyh sostoqnij i älektrotransportnyh qwlenij w ätih materialah. V pfannowskom priblizhenii i w ramkah modeli wirtual'nogo kristalla dlq twördyh rastworow resheny matematicheskie zadachi raspredeleniq komponentow i primesej w kristallah binarnyh sistem, wyraschennyh tradicionnym i modernizirowannym metodami Bridzhmena. Razrabotana metodika wyraschiwaniq kristallow Ge-Si c linejno rastuschej koncentraciej kremniq wdol' osi kristallizacii. Opredeleny rawnowesnye koäfficienty segregacii primesej Al i Sb w sisteme Ge-Si, demonstriruüschie linejnoe izmenenie ätogo parametra s sostawom kristalla mezhdu ih znacheniqmi w Ge i Si. Pokazano, chto matematicheskoe modelirowanie raspredeleniq komponentow i primesej w kristallah Ge-Si, wypolnennoe w prinqtom w rabote priblizhenii, opredelqet optimal'nye znacheniq operacionnyh tehnologicheskih parametrow dlq wyraschiwaniq kristallow s zadannym sostawom i koncentraciej primesej wdol' osi kristallizacii.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
Zahrabekowa Zaura Mowsum kyzy,kandidat fiziko-matematicheskih nauk, zakonchila Bakinskij Gosudarstwennyj Uniwersitet, rabotaet w oblasti fiziki poluprowodnikow, weduschij nauchnyj sotrudnik Instituta Fiziki NAN Azerbajdzhana, Baku.