Obnaruzhenie MWIR (infrakrasnoe izluchenie srednej dliny wolny) qwlqetsq wazhnym dlq promyshlennogo, biomedicinskogo i woennogo primeneniq. Vysokoproizwoditel'nye IK-FA tret'ego pokoleniq uzhe qwlqütsq priwlekatel'nym predlozheniem dlq razrabotchikow IK-sistem. Oni ohwatywaüt, naprimer, mnogocwetnye (kak minimum, dwa i, wozmozhno, bolee razlichnyh spektral'nyh diapazonow) s wozmozhnost'ü odnowremennogo obnaruzheniq kak w prostranstwe i wremeni, tak i w esche bol'shih razmerah. Vyrawniwanie polosy tipa II takim obrazom, chtoby polosa prowodimosti sloq InAs byla nizhe walentnoj polosy sloq GaSb. Jeffektiwnaq polosa propuskaniq ätih struktur mozhet byt' otregulirowana ot 0,4 äV do znachenij nizhe 0,1 äV putem izmeneniq tolschiny sostawlqüschih sloew, chto priwodit k ogromnomu diapazonu dlin woln otsecheniq detektora (3- 20 mkm). Jeta kniga poswqschena razlichnym klüchewym harakteristikam opticheskih (chuwstwitel'nost' i detektiwnost') i älektricheskih (powerhnostnaq utechka i temnyj tok) infrakrasnyh detektorow i dokazatel'stwo koncepcii demonstriruetsq na infrakrasnyh fotodiodah P-I-N na osnowe superreshetok InAs/GaSb s dlinoj wolny otklücheniq ~8,5 mkm i änergiej polosy propuskaniq ~150 mäV, rabotaüschih pri 78 K, gde nablüdaetsq podawlenie tokow powerhnostnoj utechki.