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Le but de ce travail est d'étudier par simulation les caractéristiques de la cellule photovoltaïque à hétérojonction à base de CIGS et d'extraire les performances optimale pour la structure CdS/Cu(In,Ga)Se2. L'introduction du gallium à la place de l'indium dans le composé CuInSe2 permet d'obtenir le CIGS et d'améliorer l'adaptation du gap à la conversion photovoltaïque. D'où notre intérêt à étudier les cellules solaires à base de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) polycristallin et en couches minces, le CIGS qui pourra constituer l'un des matériaux de base des cellules solaires les plus performantes. L'avantage de ce matériau est qu'il permet d'ajuster la valeur du gap et des paramètres cristallographiques dans le but d'une part de se rapprocher de la valeur optimale du gap pour la conversion photovoltaïque et d'autre part, d'assurer un meilleur accord de maille entre les deux matériaux dans une hétérojonction.