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Se ha estudiado la generación de defectos de radiación por irradiación de electrones de MeV de alta energía de estructura de Si-SiO2 de tipo n y p con diferentes tipos de óxidos. Los cambios morfológicos del óxido de SiO2 durante la irradiación de electrones MeV fueron observados por AFM. Se presentan las estructuras de Si-SiO2 implantadas con iones de Si+ antes y después de la irradiación de electrones de MeV. La redistribución de los átomos de oxígeno y silicio y la generación de nanocristales de Si durante la irradiación de electrones de MeV se observaron mediante las técnicas RBS/C y AFM, respectivamente. También se realizan estudios de propiedades ópticas, fotoluminiscencia y espectroscopia de películas de SiOx irradiadas con electrones de MeV.
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