Le silicium Poreux
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Dans notre travail nous nous sommes intéressés à étudier le phénomène de transformation des couches de silicium monocristallin en silicium nanostructuré. Plusieurs échantillons de silicium poreux ont été réalisés par anodisation électrochimique sur des substrats Si (100) de type P et Si (100) de type N, en faisant varier certains paramètres expérimentaux tels que l'intensité de courant et la durée d'anodisation et la composition de l'électrolyte. Pour mener à bien notre travail, Nous avons caractérisé les propriétés des couches élaborées par différentes méthodes de caractérisation…mehr

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Produktbeschreibung
Dans notre travail nous nous sommes intéressés à étudier le phénomène de transformation des couches de silicium monocristallin en silicium nanostructuré. Plusieurs échantillons de silicium poreux ont été réalisés par anodisation électrochimique sur des substrats Si (100) de type P et Si (100) de type N, en faisant varier certains paramètres expérimentaux tels que l'intensité de courant et la durée d'anodisation et la composition de l'électrolyte. Pour mener à bien notre travail, Nous avons caractérisé les propriétés des couches élaborées par différentes méthodes de caractérisation morphologiques, structurelles et optoélectroniques : MEB, , photoluminescence (PL), Infra Rouge (FTIR), Ellipsométrie ES et mesure de Réflectance. Les résultats d'analyses nous ont permis de mettre en évidence l'influence des paramètres d'anodisation et en particulier l'intensité de courant et la durée d'anodisation, Le calcul de la porosité des couches nanostructurées nous donne une variation de cette dernière allant de 45 à 80%. Par un choix judicieux des paramètres expérimentaux il est possible de contrôler la taille des nanostructures et la porosité des échantillons élaborés.
Autorenporträt
RAHMOUNI SALAH é um professor da classe "A", e chefe de departamento na ENSET de Skikda. Licenciado pela ENSET especializado em electrónica, detentor de um magister e depois doutorado em electrónica, materiais opcionais e componentes da Universidade de Skikda, depois a Universidade de Habilitação (HDR) em engenharia eléctrica da Universidade de Guelma.