Leistungsanalyse verschiedener CMOS-basierterDRAM-Zellen-Strukturen - Asthana, Prateek;Kumar, Akhilesh;Poddar, Arunava
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Dynamic Random Access Memories (DRAMs) sindaufgrund ihrer geringen Kosten und schnellen Arbeitsgeschwindigkeitin allen Arten von elektronischenGerätenweit verbreitet.Neben den umfangreichen AnwendungenmarkiertdieMassenproduktion von DRAMs in der Regel die Reife der entsprechenden Halbleitertechnologie, die durch Marktanforderungenund Wettbewerbkontinuierlich zu kleineren Abmessungen und hoher Ausbeute getrieben wird.Generell wird die Massenproduktion einer neuen DRAM-Generationmeist als Meilenstein einer neuen Ära der Halbleitertechnologie angesehen. Wie der Begriff"DRAM" schon andeutet,…mehr

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Produktbeschreibung
Dynamic Random Access Memories (DRAMs) sindaufgrund ihrer geringen Kosten und schnellen Arbeitsgeschwindigkeitin allen Arten von elektronischenGerätenweit verbreitet.Neben den umfangreichen AnwendungenmarkiertdieMassenproduktion von DRAMs in der Regel die Reife der entsprechenden Halbleitertechnologie, die durch Marktanforderungenund Wettbewerbkontinuierlich zu kleineren Abmessungen und hoher Ausbeute getrieben wird.Generell wird die Massenproduktion einer neuen DRAM-Generationmeist als Meilenstein einer neuen Ära der Halbleitertechnologie angesehen. Wie der Begriff"DRAM" schon andeutet, handelt es sich um eine Art flüchtigen Speicher, d.h. die gespeicherten Daten müssen "dynamisch" aufgefrischt werden, um eine korrekte Speicherfunktion zu gewährleisten; auf jedes Bit im DRAM kann im Vergleich zu einem herkömmlichen Tonbandgerät"zufällig" zugegriffen werden.
Autorenporträt
El Dr. Prateek Asthana trabaja como profesor asistente en el Instituto Bharat de Ingeniería y Tecnología, Hyderabad. El Dr. Akhilesh Kumar trabaja como profesor asistente en la Universidad de Chitkara, Punjab. El Dr. Arunava Poddar trabaja como profesor asistente en la Universidad de Shoolini, Solan. Los autores han publicado más de 50 publicaciones de investigación.