35,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
payback
18 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

V uchebnom posobii dan edinyj wzglqd na postroenie modelej älementow kremniewyh integral'nyh shem (IS) mikroälektroniki na osnowe fundamental'noj sistemy urawnenij fiziki poluprowodnikowyh priborow. Priwedeny klassifikaciq modelej i podhody k ih sintezu. Opisany osnownye ispol'zuemye na praktike modeli i rassmotreny metody identifikacii ih parametrow. Priwedeny swedeniq o programmnom obespechenii modelirowaniq älementow i fragmentow IS, a takzhe dana ego klassifikaciq. Kurs lekcij po dannomu predmetu chitaetsq awtorom w Belorusskom gosudarstwennom uniwersitete informatiki i radioälektroniki,…mehr

Produktbeschreibung
V uchebnom posobii dan edinyj wzglqd na postroenie modelej älementow kremniewyh integral'nyh shem (IS) mikroälektroniki na osnowe fundamental'noj sistemy urawnenij fiziki poluprowodnikowyh priborow. Priwedeny klassifikaciq modelej i podhody k ih sintezu. Opisany osnownye ispol'zuemye na praktike modeli i rassmotreny metody identifikacii ih parametrow. Priwedeny swedeniq o programmnom obespechenii modelirowaniq älementow i fragmentow IS, a takzhe dana ego klassifikaciq. Kurs lekcij po dannomu predmetu chitaetsq awtorom w Belorusskom gosudarstwennom uniwersitete informatiki i radioälektroniki, nachinaq s 1994 goda, i otrazhaet ego opyt raboty w ätoj oblasti s 1975 goda. Pri ätom w lekcii byl wklüchen lish' «zolotoj fond» discipliny. Posobie prednaznachaetsq dlq studentow starshih kursow sootwetstwuüschih special'nostej i mozhet byt' polezno aspirantam, magistrantam i inzheneram, ispol'zuüschim modeli IS w swoih issledowaniqh.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
ABRAMOV Igor' Iwanowich ¿ doktor fiziko-matematicheskih nauk (Rossijskaq Federaciq, 1994 g.), professor (Respublika Belarus', 1999 g.). Awtor i soawtor okolo 300 nauchnyh publikacij, wklüchaq chetyre monografii, i pqti uchebnyh posobij. Oblast' nauchnyh interesow: fizika i modelirowanie pribornyh struktur i shem mikro- i nanoälektroniki.