LNA CMOS utilisant le procédé 130nm
Amélioration du facteur de bruit et de la linéarité par une technique de rejet des harmoniques
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Le domaine de l'électronique se déplace inlassablement vers les technologies à échelle réduite chaque jour. Aujourd'hui, une génération de technologies atteint l'échelle nanométrique. Comme la technologie se réduit, elle présente des avantages et des inconvénients. Les RFIC utilisent cette nanotechnologie pour un fonctionnement efficace. Mais il y a quelques défis dans la conception du RFIC à cause de l'échelle de la technologie, comme la faible consommation d'énergie, la conception de divers circuits comme l'amplificateur à faible bruit (LNA), le mélangeur, la conception de ...
Le domaine de l'électronique se déplace inlassablement vers les technologies à échelle réduite chaque jour. Aujourd'hui, une génération de technologies atteint l'échelle nanométrique. Comme la technologie se réduit, elle présente des avantages et des inconvénients. Les RFIC utilisent cette nanotechnologie pour un fonctionnement efficace. Mais il y a quelques défis dans la conception du RFIC à cause de l'échelle de la technologie, comme la faible consommation d'énergie, la conception de divers circuits comme l'amplificateur à faible bruit (LNA), le mélangeur, la conception de l'amplificateur différentiel etc., le facteur de bruit, l'adaptation de l'impédance, la linéarité, la durée de vie du RFIC, le courant de fuite etc. Parmi tous ces défis, la linéarité et la figure de bruit des amplificateurs à faible bruit constituent un obstacle à la conception efficace des RFIC.
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